DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关速度的平衡。其内部架构优化了栅极控制与沟道传导效率，使得在紧凑的封装内能够稳定处理高达60V的漏源电压，为低压至中压范围的开关与驱动应用提供了一个高效可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的电气特性表现出色，其栅极阈值电压典型值较低，最大值为2.5V @ 1mA，这意味着它能够与常见的3.3V或5V逻辑电平直接兼容，简化了驱动电路设计。在10V的栅源驱动电压下，其导通电阻典型值极低，最大值仅为2欧姆 @ 500mA，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷极低，最大值仅为0.3nC @ 4.5V，结合最大30pF的输入电容，共同确保了极快的开关速度和极低的开关损耗，特别适合高频PWM应用。

在接口与参数方面，该器件提供了宽泛的工作条件。其连续漏极电流在环境温度下可达380mA，最大栅源电压为±20V，提供了充足的驱动安全裕度。其采用标准的SOT-323表面贴装封装，占板面积小，适合高密度PCB布局。器件的结温工作范围宽达-55°C至150°C，并能在310mW的功率耗散下稳定运行，确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是保障供应链顺畅与产品正品品质的有效途径。

凭借其优异的性能组合，DMN63D1LW-13非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场景。其主要应用领域包括便携式设备的电源管理模块、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或低侧开关，以及作为电机驱动、继电器驱动或LED驱动电路中的高速开关元件。其小尺寸、低驱动要求和良好的热性能，使其成为消费电子、工业控制及通信模块中实现高效功率控制的理想选择。

• 型号:DMN63D1LW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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