DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件设计用于在紧凑的封装内提供高效的开关性能，其核心架构基于平面栅极工艺，优化了电荷控制与导通电阻之间的平衡，确保了在低电压驱动下的快速响应与稳定工作。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和260mA的连续漏极电流(Id)能力，使其能够承受中等功率负载。其导通电阻在10V栅源电压(Vgs)和115mA漏极电流条件下典型值仅为3欧姆，这一低导通特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为5V，同时可承受高达±20V的栅源电压，增强了其在各种逻辑电平接口电路中的兼容性与可靠性。

在动态特性方面，DIODES中国代理提供的技术资料显示，DMN65D8LFB-7具有较低的输入电容(Ciss)，在25V漏源电压下最大值仅为25pF，这有助于减少开关过程中的电荷需求，从而实现更高的开关频率并降低驱动电路的负担。其阈值电压(Vgs(th))最大值为2V（在250A漏极电流条件下），确保了在标准逻辑电平下即可可靠开启。器件采用表面贴装型X1-DFN1006-3封装，尺寸极小，非常适合高密度PCB布局，其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并能在环境温度下实现430mW的最大功率耗散，满足工业级应用的鲁棒性要求。

凭借其小尺寸、低导通电阻和良好的开关特性，DMN65D8LFB-7非常适用于空间受限且要求高效能的低功率开关应用。典型应用场景包括便携式电子设备的电源管理模块、电池保护电路、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或低侧开关，以及各类传感器、物联网(IoT)节点中的信号切换与功率控制。其可靠的性能使其成为工程师在设计中实现小型化与高效能目标的优选器件。

• 型号:DMN65D8LFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:430mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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