DMN67D8L-13

Diodes Incorporated推出的DMN67D8L-13是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体技术构建，其核心设计旨在实现高效率的功率开关控制。其结构优化了沟道电阻与栅极电荷，确保了在紧凑的封装尺寸下，依然能提供可靠的电压阻断能力和快速的开关响应。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，为低压至中压应用提供了充足的电压裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为210mA，适用于中小电流的负载切换。其导通电阻特性尤为突出，在Vgs为10V、Id为500mA的条件下，Rds(on)最大值仅为5欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。栅极驱动门槛电压(Vgs(th))最大值为2.5V @ 250A，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围设计。

在动态特性方面，DMN67D8L-13表现出色。其最大栅极电荷(Qg)在10V条件下仅为0.82nC，同时输入电容(Ciss)在25V下最大值为22pF，这些低电荷与低电容参数共同决定了器件具有极快的开关速度，能有效减少开关过渡时间，从而降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅源电压(Vgs)可承受±30V的最大值，增强了栅极驱动的鲁棒性。器件采用标准的SOT-23表面贴装封装，占板面积小，符合现代电子设备高密度集成的需求，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行，最大功耗为340mW。如需获取官方技术支持和供货保障，可通过正规的DIODES代理渠道进行采购。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关以及优异的温度特性，该器件非常适合应用于需要高效、紧凑型功率管理方案的领域。典型应用包括便携式设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电池管理系统的保护电路、电机驱动中的预驱动级，以及各类消费电子和工业控制模块中的信号切换与功率控制环节。

• 型号:DMN67D8L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:340mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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