DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率器件，其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑的表面贴装型封装，具有出色的热性能和功率密度，特别适合空间受限的现代电子设计。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气性能。它具备75V的漏源电压（Vdss）额定值和7.8A的连续漏极电流（Id）能力，为中等功率应用提供了可靠的电压和电流裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs和7.2A Id条件下典型值仅为22毫欧，这一低阻值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在56.5nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，DMN7022LFG-13设计为逻辑电平驱动，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保其能被常见的3.3V或5V微控制器端口有效驱动。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的Vgs下即可获得优异的Rds(on)性能，最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了良好的鲁棒性。器件的工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其综合性能，该器件非常适合多种应用场景。它常被用于DC-DC转换器中的同步整流或主开关，以提升电源模块的转换效率。在电机驱动控制、如无人机、小型风扇或工具中，它能提供高效的功率开关解决方案。此外，在电池管理系统（BMS）、负载开关以及各类需要高效功率切换的消费电子和工业设备中，DMN7022LFG-13都是一个可靠的选择，其紧凑的封装和卓越的性能有助于工程师实现更小体积、更高能效的产品设计。

• 型号:DMN7022LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 7.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2737 pF @ 35 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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