DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种专为高功率密度和高效散热而优化的表面贴装封装，其紧凑的占板面积使其非常适合空间受限的现代电子设备应用。

该MOSFET的核心性能体现在其75V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温（Tc）条件下高达23A的连续漏极电流（Id）能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和7.2A漏极电流条件下，最大值仅为22毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。器件具备宽泛的栅极驱动电压范围，标准驱动电压为4.5V至10V，且栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与常见逻辑电平控制信号的兼容性，同时其栅极电荷（Qg）最大值控制在56.5nC，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，DIODES代理提供的技术资料显示，其输入电容（Ciss）在35V漏源电压下最大值为2737pF。器件栅源电压可承受±20V的最大值，提供了良好的栅极保护余量。其最大功率耗散在环境温度（Ta）下为2W，结合PowerDI3333封装优异的散热性能，能够有效管理热负荷。该器件的工作结温（Tj）范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。

凭借其高电压、大电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，DMN7022LFGQ-7主要面向需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池管理系统（BMS）中的负载开关，以及各类电源管理和功率分配单元。其稳健的性能和宽温工作范围，使其成为工业自动化、消费电子和通信基础设施等领域中高可靠性设计的理想选择。

• 型号:DMN7022LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 7.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2737 pF @ 35 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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