DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT是Diodes Incorporated推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准的TO-220AB通孔封装中。该器件设计用于在高压环境下提供可靠的开关与控制功能，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的良好平衡，从而在功率转换应用中提升整体效率。

该MOSFET具备900V的高漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对工业电源、离线式开关电源(SMPS)以及电机驱动中常见的电压应力和开关浪涌。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(Id)额定值为2.5A，结合仅7欧姆（在1A，10V条件下）的最大导通电阻(Rds(on))，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了能效表现。其栅极驱动设计兼容性强，10V的驱动电压即可实现完全导通，且栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为5V，确保了稳定的开启特性。

在动态特性方面，DIODES代理提供的技术资料显示，DMN90H8D5HCT在10V偏置下的最大栅极电荷(Qg)仅为7.9nC，同时输入电容(Ciss)最大值为470pF。这些低电荷与电容参数共同作用，显著降低了开关过程中的驱动损耗，有助于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。器件的栅源电压(Vgs)可承受±30V的最大值，提供了更宽的驱动安全裕度。其最大功耗为125W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行与长寿命。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性，DMN90H8D5HCT非常适用于需要高压开关和高效能转换的场合。典型应用包括功率因数校正(PFC)电路、反激式/正激式开关电源的初级侧开关、照明镇流器以及工业电机控制等。TO-220AB封装提供了良好的机械强度和散热能力，便于通过散热片进行热管理，满足中功率应用的需求。

• 型号:DMN90H8D5HCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:470 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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