DMN95H8D5HCTI

Diodes Incorporated推出的DMN95H8D5HCTI是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件基于先进的平面MOSFET工艺构建，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗的平衡。其栅极结构采用金属氧化物半导体技术，确保了稳定的栅极控制特性与良好的可靠性。封装形式为标准通孔安装的ITO-220AB，提供了优异的散热性能和机械强度，便于在各类功率转换板上进行安装与焊接。

该MOSFET的突出特性在于其高达950V的漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电网电压波动与开关尖峰。在导通特性方面，当栅源电压(Vgs)为10V时，其导通电阻(Rds(on))典型值较低，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为7.9nC，结合适中的输入电容(Ciss)，意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较小，有利于实现高频开关操作并降低驱动电路的负担。

在电气参数方面，DMN95H8D5HCTI在壳温(Tc)条件下可支持2.5A的连续漏极电流，最大栅源电压耐受范围为±30V，提供了充足的驱动安全裕量。其阈值电压(Vgs(th))设计合理，确保了抗干扰能力。器件的功率耗散能力为30W，结合ITO-220AB封装良好的热传导路径，能够有效管理开关损耗产生的热量。其宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其高耐压、良好的开关特性与稳健的封装，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、LED照明驱动以及工业电机控制中的辅助电源等场景。它在反激式、正激式等拓扑结构中能作为核心开关元件，帮助设计者构建高效、紧凑且可靠的电源解决方案。

• 型号:DMN95H8D5HCTI
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:ITO-220AB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:470 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:ITO-220AB
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
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