DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，专为高功率密度应用设计，在100V的漏源电压（Vdss）下，能够提供高达40A（Tc）的连续漏极电流。其核心优势在于极低的导通损耗，在10V驱动电压、20A电流条件下，导通电阻（Rds(On)）典型值仅为28毫欧，这直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。

该器件在开关性能上表现出色，得益于其优化的栅极电荷（Qg）特性，在10V Vgs条件下最大栅极电荷仅为36nC。较低的Qg值意味着驱动电路所需的开关能量更少，这不仅降低了驱动损耗，还允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而简化系统设计并提升高频开关性能。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。

在电气参数方面，DMNH10H028SPSQ-13具有±20V的最大栅源电压（Vgs）容限，提供了较强的栅极抗干扰能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，有助于防止因噪声引起的误开启，提升系统鲁棒性。输入电容（Ciss）在50V Vds下最大值为2245pF，与低栅极电荷相结合，共同塑造了其快速开关的响应特性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理获取此型号，确保产品原装正品和稳定的供货支持。

凭借其高耐压、大电流能力和优异的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。其主要应用场景包括直流-直流转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类工业电源模块。其表面贴装型PowerDI5060-8封装具有优异的热性能，便于在自动化生产线上实现高可靠性的焊接，是构建现代高效能电力电子系统的理想选择。

• 型号:DMNH10H028SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2245 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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