DMNH3010LK3-13

作为Diodes Incorporated旗下符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列成员，DMNH3010LK3-13是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252-4L（DPAK）封装，在紧凑的占板面积内实现了优异的电气性能与热管理能力，其设计充分考虑了高可靠性应用场景的严苛要求。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、18A漏极电流条件下，其R_DS(on)最大值仅为9.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统效率并减少了发热。同时，其栅极电荷Q_g典型值较低，有助于降低开关损耗，特别适合高频开关应用。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为4.5V至10V，最大栅源电压可达±20V，提供了设计灵活性并增强了抗干扰能力。

在电气参数方面，DMNH3010LK3-13的连续漏极电流在环境温度25°C下为15A，而在管壳温度条件下可达55A，展现了强大的电流处理能力。其漏源击穿电压为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。器件的阈值电压V_GS(th)最大值仅为2.5V，确保了与低压逻辑电路的兼容性。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合2W的额定功耗，使其能够稳定工作在恶劣的温度环境中。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取产品与设计资源。

凭借其高可靠性、高效率和小尺寸的表面贴装封装，这款MOSFET非常适合于汽车电子领域的多种应用，例如电动座椅调节、车窗升降、LED照明驱动以及小型电机控制等模块中的负载开关和PWM控制。此外，在工业控制、电源管理和低压DC-DC转换器等需要高效功率开关的场合，它也是一个理想的选择。

• 型号:DMNH3010LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2075 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购DMNH3010LK3-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。