DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。该器件基于先进的MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高电流处理能力与低导通损耗的平衡，结温范围覆盖-55°C至175°C，能够满足汽车电子及工业应用中对可靠性和鲁棒性的严苛要求。

该MOSFET的漏源电压（Vdss）为40V，在25°C壳温条件下可支持高达50A的连续漏极电流。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和50A电流条件下，Rds(On)最大值仅为10毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力和稳定的开关控制。

在动态特性方面，DIODES代理商提供的资料显示，DMNH4011SK3Q-13在10V Vgs下的栅极总电荷（Qg）最大值为25.5nC，结合20V Vds下的输入电容（Ciss）最大值为1405pF，这些参数共同决定了其开关速度与驱动需求，有助于工程师优化栅极驱动电路设计，在开关损耗与EMI性能之间取得最佳折衷。器件最大栅源电压为±20V，提供了安全的操作裕度。

得益于其2.6W的额定功耗（Ta）和宽工作温度范围，该器件非常适合用于空间受限且散热条件挑战性的环境。其典型的应用场景包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关，以及工业电源管理系统。TO-252封装提供了良好的功率耗散能力，并便于自动化贴装生产。

• 型号:DMNH4011SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1405 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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