DMNH4011SPS-13

Diodes Incorporated推出的DMNH4011SPS-13是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，在极小的占板面积内集成了卓越的电气性能，特别适合空间受限的现代电子系统。其结构优化了载流子迁移路径，有效降低了导通电阻与寄生电容，为开关电源和电机驱动等应用提供了快速响应的基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为40V，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达13A，而在壳温（Tc）条件下更能支持高达80A的电流，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、20A电流条件下典型值仅为10毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在25.5nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，DMNH4011SPS-13的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了宽裕的驱动安全余量。器件采用表面贴装形式，便于自动化生产。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并符合AEC-Q101车规标准，通过了严格的可靠性认证，满足汽车电子及工业领域对元器件耐久性的严苛要求。对于需要稳定供应链的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是保障产品正品与供货可靠性的重要途径。

基于其稳健的性能，DMNH4011SPS-13非常适合应用于对效率和可靠性有高要求的场景。在汽车电子领域，它常被用于发动机控制单元（ECU）、LED照明驱动及电动座椅调节等系统中的负载开关与电机控制。在工业与消费电子中，它是DC-DC转换器、同步整流、电池保护电路以及各类电源管理模块的理想选择。其优异的散热性能（壳温下最大功耗100W）与高电流能力，使其在空间紧凑但功率需求持续增长的应用中表现出色。

• 型号:DMNH4011SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 13A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1405 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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