DMNH4015SSDQ-13

DMNH4015SSDQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道MOSFET阵列。该器件在一个紧凑的8-SOIC封装内集成了两个性能匹配的独立MOSFET，其核心优势在于极低的导通电阻与出色的开关特性。这种双管集成的架构不仅节省了宝贵的PCB空间，简化了布局布线，更通过优化的内部互连设计，有效降低了寄生电感，为需要高密度、高效率功率切换的应用提供了理想的解决方案。

该器件具备40V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了充足的电压裕量，确保在常见的12V或24V总线系统中稳定可靠地工作。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)可达8.6A，峰值电流处理能力强劲。尤为突出的是其导通性能，在Vgs=10V、Id=12A的条件下，导通电阻(RDS(on))典型值低至15毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热，显著提升了系统的整体能效。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或数字信号处理器直接驱动。

在动态特性方面，DIODES中国代理提供的技术资料显示，DMNH4015SSDQ-13在Vgs=10V时的栅极总电荷(Qg)最大值仅为33nC，同时输入电容(Ciss)也得到良好控制。这些参数共同决定了其快速的开关速度，能够有效降低开关过程中的交叠损耗，尤其适用于高频PWM控制场景。器件采用表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，并具有1.4W至2W的功率耗散能力，确保了其在严苛工业环境下的长期稳定性。

基于其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，DMNH4015SSDQ-13非常适合用于DC-DC同步整流转换器中的上下桥臂、电机驱动H桥电路、负载开关以及电池保护电路。在服务器电源、电动工具、无人机电调、汽车辅助系统等对功率密度和效率有苛刻要求的领域，这款双MOSFET阵列能够帮助设计工程师实现更紧凑、更高效、更可靠的电源管理与功率驱动方案。

• 型号:DMNH4015SSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 8.6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1938pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.4W，2W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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