DMNH4026SSD-13

Diodes Incorporated推出的DMNH4026SSD-13是一款采用紧凑型8-SOIC封装的表面贴装器件，其内部集成了两个独立的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，其核心设计优化了单元密度与电荷控制，从而在提供高电流处理能力的同时，有效降低了传导与开关损耗。

该器件的一个显著特性是其出色的导通性能，在10V栅源电压(Vgs)和6A漏极电流(Id)条件下，导通电阻(RDS(on))典型值低至24毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保了与标准逻辑电平信号的兼容性，便于驱动电路设计。同时，较低的栅极电荷(Qg，最大值8.8nC @ 4.5V)与输入电容(Ciss，最大值1060pF @ 20V)共同作用，显著减少了开关过程中的延迟和损耗，使其非常适用于高频开关应用。

在电气参数方面，DMNH4026SSD-13在环境温度(Ta)下连续漏极电流(Id)额定值为7.5A，展现了其稳健的电流承载能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）赋予了该器件出色的环境适应性，能够在苛刻的温度条件下稳定运行。其双MOSFET的阵列配置为电路板布局提供了灵活性，允许设计者在一个封装内实现同步整流、负载切换或桥式电路拓扑，从而节省宝贵的PCB空间。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

基于上述特性，该器件非常适合应用于对空间和效率有严格要求的现代电子系统中。其主要应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流和功率开关、电机驱动控制电路、电池管理系统中的负载开关与保护电路，以及各类便携式设备、计算设备和消费电子产品的电源管理模块。其双通道设计尤其适合需要多路独立控制或构成半桥的场合，为工程师提供了高集成度的解决方案。

• 型号:DMNH4026SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 7.5A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060pF @ 20V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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