DMNH4026SSDQ-13

DMNH4026SSDQ-13是Diodes Incorporated推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立的增强型MOSFET，其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡。在25°C环境温度下，每个通道的连续漏极电流额定值高达7.5A，使其能够在紧凑的物理尺寸内承载显著的功率负载，这对于空间受限的现代电子设计至关重要。

该器件的性能突出体现在其优异的开关特性上。在10V栅源电压和6A漏极电流的测试条件下，其导通电阻最大值仅为24毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷最大值在4.5V条件下仅为8.8nC，结合1060pF的输入电容，意味着开关速度快，驱动损耗低，特别适合高频开关应用。其栅极阈值电压最大值为3V，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，简化了驱动电路设计。

在接口与参数方面，该器件提供了宽泛的工作结温范围，从-55°C到175°C，保证了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。其表面贴装型8-SOIC封装具有优良的散热性能和自动化生产兼容性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其双通道、高效率、高可靠性的特点，DMNH4026SSDQ-13非常适合应用于需要多路开关或同步整流的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和功率开关、电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑、负载开关以及电池管理系统中的充放电控制。它为工程师在电源管理、电机控制和功率分配系统中实现高性能、高密度的解决方案提供了有力的元器件支持。

• 型号:DMNH4026SSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 7.5A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060pF @ 20V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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