DMNH6012LK3-13

DMNH6012LK3-13是一款采用先进的沟槽式MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该器件采用TO-252-4L（DPAK）封装，这种四引脚封装不仅提供了良好的散热路径，其分离的源极和开尔文连接引脚还有助于减少寄生电感，从而在高频开关应用中实现更精确的栅极驱动和更低的开关损耗。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至12毫欧（在25A，25°C条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为35.2nC @ 10V，结合适中的输入电容，意味着所需的驱动功率更小，能够实现更快的开关速度并减轻栅极驱动电路的压力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与标准逻辑电平或微控制器IO口的良好兼容性，同时提供了足够的噪声容限。

在电气参数方面，DMNH6012LK3-13具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达60A的连续漏极电流（Tc=25°C）能力，为设计提供了充裕的电压和电流裕量。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并且符合AEC-Q101标准，这使其能够承受严苛的汽车电子环境要求，满足高可靠性应用。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其高效率、高可靠性和快速开关特性，这款MOSFET非常适合用于需要紧凑布局和高功率密度的场合。典型应用包括汽车系统中的负载开关、电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器中的同步整流或主开关，以及各类工业电源管理模块。其表面贴装形式和稳健的电气特性，使其成为现代高密度、高可靠性电源与驱动设计的理想选择。

• 型号:DMNH6012LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1926 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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