DMNH6012SPSQ-13

Diodes Incorporated推出的DMNH6012SPSQ-13是一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为要求苛刻的汽车电子和工业应用而设计。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，在实现高功率密度和卓越散热性能的同时，优化了PCB空间占用，其表面贴装形式便于自动化生产。

该MOSFET的核心优势在于其优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一关键指标直接决定了开关效率和功率损耗。在10V驱动电压下，其最大导通电阻低至11毫欧，结合35.2nC的最大栅极电荷，确保了在高达50A的连续漏极电流下，仍能实现极低的传导损耗和快速的开关切换。这种低损耗特性对于提升系统整体效率、减少热量产生至关重要，尤其是在高频开关应用中。

在电气参数方面，DMNH6012SPSQ-13具备60V的漏源击穿电压，提供了充足的电压裕量以应对负载突降等瞬态事件。其栅源电压最大额定值为±20V，增强了驱动电路的鲁棒性。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，能够适应严苛的环境温度波动。其低至4V的最大栅极阈值电压也使其兼容多种逻辑电平驱动，应用灵活性高。如需获取详细的技术支持或采购信息，可以联系DIODES中国代理。

凭借其高可靠性、高效率和小尺寸，这款MOSFET非常适合作为汽车系统中的负载开关、电机驱动、DC-DC转换器中的同步整流或主开关，以及各类工业电源管理模块中的功率控制元件。其AEC-Q101认证确保了其在汽车动力总成、车身控制及电池管理系统等关键领域应用的长期稳定性和质量可靠性。

• 型号:DMNH6012SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1926 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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