DMNH6021SK3-13

作为Diodes Incorporated旗下符合AEC-Q101标准的汽车级产品，DMNH6021SK3-13是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，在确保高电流处理能力的同时，有效平衡了导通电阻与栅极电荷等关键参数，从而在开关性能与导通损耗之间取得了卓越的平衡。该器件采用TO-252-4L（DPAK）封装，这种四引脚表面贴装形式不仅提供了优异的散热路径，还增强了封装的机械可靠性，非常适合在空间受限且对热管理有严苛要求的汽车与工业环境中部署。

该MOSFET的突出特性在于其低至23毫欧的导通电阻（Rds(on)），这一数值是在10V栅极驱动电压、12A漏极电流的测试条件下获得的最大值。极低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为20.1nC，结合适中的输入电容，意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，这不仅简化了驱动电路的设计，还能有效降低开关损耗，实现更高频率的开关操作。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了宽裕的驱动安全余量。

在电气参数方面，DMNH6021SK3-13具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达50A的连续漏极电流承载能力（在特定壳温条件下）。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了良好的噪声免疫能力和明确的导通关断状态。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，完全满足汽车电子对极端温度环境的可靠性要求。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取完整的技术资料、样品以及批量采购支持。

凭借其高可靠性、高效率和高功率密度，这款MOSFET非常适合应用于对性能和耐用性有严格标准的领域。其主要应用场景包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，以及工业电源管理、电池保护电路和各类高边/低边开关设计。其优异的电气性能和汽车级认证使其成为替代传统继电器或性能不足的MOSFET的理想选择，助力工程师设计出更紧凑、更高效、更可靠的下一代电力电子系统。

• 型号:DMNH6021SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1143 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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