DMNH6021SK3Q-13

DMNH6021SK3Q-13是一款由Diodes Incorporated推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，并封装于TO-252-4L（DPAK）表面贴装器件中。该器件隶属于符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列，确保了其在严苛的汽车电子环境下的高可靠性与长期稳定性，其工作结温范围宽达-55°C至175°C。

该MOSFET的核心优势在于其优异的导通性能与开关特性。其漏源电压（Vdss）额定值为60V，在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）高达50A。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs为10V、Id为12A时，最大值仅为23毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为20.1nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，DMNH6021SK3Q-13的栅极驱动电压范围宽泛，推荐工作区间为4.5V至10V，以实现最小的导通电阻，其栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了良好的抗干扰能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大为3V @ 250A，具备良好的噪声抑制特性。对于需要技术支持与稳定供应的客户，可以通过DIODES中国代理获取详细的技术资料、样品以及批量采购支持。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗以及符合汽车级标准的可靠性，该器件非常适合应用于对效率和鲁棒性有高要求的场景。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关，以及工业电源管理和电池保护电路。其TO-252-4L封装提供了良好的散热性能和便于自动化生产的表面贴装便利性。

• 型号:DMNH6021SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO252-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1143 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购DMNH6021SK3Q-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。