DMNH6021SPS-13

DMNH6021SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerDI5060-8封装。该器件专为要求高可靠性和高效率的汽车电子及工业应用设计，其核心架构基于优化的沟槽栅技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的理想平衡。这种设计显著降低了传导损耗和开关损耗，为系统整体能效提升提供了坚实基础。

在电气特性方面，该MOSFET具备60V的漏源击穿电压和高达55A的连续漏极电流承载能力，确保了在严苛工况下的稳健运行。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为23毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的效率。同时，其栅极电荷(Qg)典型值较低，有助于减少驱动损耗并提升开关频率，使得它非常适用于高频开关应用。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取此型号及相关技术支持。

该器件提供了宽泛且可靠的驱动电压范围，标准驱动电压为10V，并支持低至4.5V的导通，增强了设计灵活性。其输入电容(Ciss)与栅源阈值电压(Vgs(th))经过精心优化，在保证快速响应的同时，也有效抑制了误触发的风险。坚固的PowerDI5060-8表面贴装封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积也顺应了现代电子设备小型化的趋势。器件的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，能够适应从寒冷环境到引擎舱附近的高温环境等各种挑战。

基于其高电流处理能力、低导通损耗、符合汽车级标准以及出色的热性能，DMNH6021SPS-13非常适合应用于对可靠性和效率有严格要求的领域。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或主开关，以及工业电源、电池管理系统(BMS)和电动工具中的功率控制模块。它为工程师提供了一个在性能、尺寸和可靠性方面均表现卓越的功率开关解决方案。

• 型号:DMNH6021SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1016 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），53W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMNH6021SPS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。