DMNH6021SPSQ-13

DMNH6021SPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerDI5060-8封装。该器件基于成熟的MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高功率密度与卓越的电气性能，尤其注重在严苛的汽车电子环境中提供稳定可靠的开关控制能力。其结构优化了电流通路与散热路径，使得在紧凑的封装尺寸下，能够高效处理高达55A的连续漏极电流，同时维持较低的结到外壳热阻，为系统热管理提供了坚实基础。

该器件的一个突出特性是其优异的导通电阻性能，在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为23毫欧。这种低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少热量产生。其栅极电荷(Qg)最大值控制在19.7nC @ 10V，结合适中的输入电容，意味着它具备快速的开关特性，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度，而阈值电压(Vgs(th))最大值为3V @ 250A，确保了与常见逻辑电平或驱动器良好的兼容性。

在电气参数方面，DMNH6021SPSQ-13的漏源击穿电压(Vdss)为60V，为12V或24V汽车电池系统提供了充足的电压余量。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，完全满足汽车级应用对极端温度耐受性的要求。该器件采用表面贴装型PowerDI5060-8封装，这种封装不仅占板面积小，而且其裸露的散热焊盘设计极大地优化了热性能，允许在环境温度(Ta)下耗散1.6W功率，而在管壳温度(Tc)下最大功率耗散可达53W。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取该产品。

凭借其车规级认证、高电流处理能力、低导通与开关损耗以及出色的热性能，DMNH6021SPSQ-13非常适合于对可靠性和效率有严苛要求的应用场景。其主要应用包括但不限于：汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或主开关，以及电池管理系统(BMS)中的保护开关。它在需要紧凑设计和高功率输出的车载电子模块、工业电源及电动工具等场合中，都能作为核心功率开关元件发挥关键作用。

• 型号:DMNH6021SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1016 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），53W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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