DMNH6042SPS-13

DMNH6042SPS-13是一款由Diodes Incorporated推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用PowerDI5060-8封装，这是一种专为高功率密度和高效散热设计的表面贴装型封装，其紧凑的尺寸与优异的电气性能相结合，使其成为空间受限的高性能应用的理想选择。其核心架构优化了电流通路与栅极控制，旨在实现低导通损耗与快速开关特性的平衡。

该器件具备60V的漏源电压（Vdss）额定值，并在25°C壳温条件下可支持高达24A的连续漏极电流。其导通电阻表现突出，在10V栅源电压、5.1A漏极电流条件下，最大值仅为50毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。栅极驱动特性经过优化，最大栅源电压为±20V，栅极阈值电压最大为3V（在250A条件下），而典型的驱动电压范围在4.5V至10V之间，确保了在逻辑电平或标准驱动电压下的可靠开启与高效运行。

在动态性能方面，DIODES芯片代理提供的详细规格显示，DMNH6042SPS-13在10V Vgs条件下的栅极电荷（Qg）最大值仅为8.8nC，同时在25V Vds下的输入电容（Ciss）最大值为584pF。这些低电荷和电容参数共同贡献了极快的开关速度，减少了开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，并符合AEC-Q101标准，属于汽车级产品系列，保证了其在严苛环境下的高可靠性与长寿命。

凭借其优异的电气参数和坚固的封装，该MOSFET非常适合要求高效率和高可靠性的功率管理场景。其主要应用包括但不限于汽车电子中的电机驱动、负载开关、DC-DC转换器（尤其是同步整流和开关侧），以及工业电源、电池管理系统和各类便携式设备的功率分配单元。其表面贴装形式便于自动化生产，而强大的功率处理能力使其成为现代紧凑型、高能效电源设计的核心组件。

• 型号:DMNH6042SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 5.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:584 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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