DMNH6065SPDWQ-13

Diodes Incorporated推出的DMNH6065SPDWQ-13是一款采用先进PowerDI506封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个性能一致的MOSFET单元，其核心架构基于优化的沟槽工艺技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。这种设计有效降低了传导损耗和开关损耗，为高密度电源管理和电机驱动应用提供了高效的功率开关解决方案。其紧凑的封装形式不仅节省了宝贵的PCB空间，还通过裸露的散热焊盘优化了热性能，确保器件在高功率运行时保持稳定。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源电压额定值高达60V，能够适应多种中压应用环境。在25°C壳温条件下，连续漏极电流可达27A，展现出强大的电流处理能力。更关键的是，其导通电阻在15A电流、10V栅源电压条件下典型值仅为65毫欧，这一低RDS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷仅为9.5nC，结合466pF的输入电容，意味着栅极驱动需求低，能够实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，器件采用标准的表面贴装形式，封装为8-Pin PowerTDFN。其栅极阈值电压最大值为3V，具备良好的噪声抑制能力和与常见逻辑电平或驱动IC的兼容性。器件的热设计考量周全，在环境温度下的最大功耗为2.4W，而当通过PCB有效散热时，壳温条件下的最大功耗可提升至68W，这突显了其封装出色的散热潜力。其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理获取该产品及全面的技术支持。

凭借其AEC-Q101认证资格，DMNH6065SPDWQ-13主要面向要求严苛的汽车电子应用场景，如电动助力转向系统、燃油泵控制、LED照明驱动以及车身控制模块中的负载开关。此外，其优异的性能也使其适用于工业自动化中的电机驱动、服务器和通信设备的DC-DC转换器同步整流，以及各类需要高效率、高可靠性功率切换的消费类和计算类电子产品中，成为工程师设计紧凑、高效功率系统的优选器件。

• 型号:DMNH6065SPDWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（R 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 27A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:466pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.4W（Ta），68W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（R 类）
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