DMP1009UFDF-13

DMP1009UFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在紧凑的空间内提供高效率的电源开关解决方案。其架构优化了单元密度与导通特性，确保了在低压大电流应用中的出色性能与可靠性。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的导通电阻（Rds(on)）表现，在Vgs为4.5V、Id为5A的条件下，其最大值仅为11毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为44nC @ 8V，结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），使得器件能够被快速驱动，显著降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。其驱动电压范围覆盖1.8V至4.5V，使其与主流低压逻辑电平（如1.8V、3.3V、5V）直接兼容，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，DMP1009UFDF-13的连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达15A，漏源击穿电压（Vdss）为12V，能够满足大多数低压、高电流路径的开关与保护需求。其最大栅源电压（Vgs）为±8V，提供了安全的驱动裕量。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装形式，确保了其在严苛环境下的稳定性和易于自动化生产。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高性能与小型化封装，该器件非常适合应用于空间受限且对效率要求苛刻的场合。其主要应用场景包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的负载开关、电源路径管理和电池保护电路；分布式电源系统的次级侧同步整流；以及各类便携式设备、固态硬盘（SSD）、USB供电（PD）设备和低电压DC-DC转换器中的功率开关。它是工程师在追求高功率密度和高效能设计时的理想选择。

• 型号:DMP1009UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1860 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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