DMP1009UFDF-7

DMP1009UFDF-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能，以满足现代高密度、高效率电源管理应用的需求。

该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）在Vgs为4.5V、Id为5A的条件下典型值仅为11毫欧，这一关键特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为1V，结合1.8V至4.5V的推荐驱动电压范围，使其能够完美兼容低至1.8V的逻辑电平，轻松由微控制器或低压ASIC直接驱动，简化了外围电路设计。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为44nC，与1860pF的输入电容（Ciss）共同确保了快速的开关切换，有效降低了开关损耗，尤其适用于高频开关应用。

在电气参数方面，Diodes代理商提供的规格书显示，DMP1009UFDF-7的连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达15A，漏源击穿电压（Vdss）为12V，最大栅源电压（Vgs）为±8V，提供了可靠的电压裕量。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，结合2W的功率耗散能力，确保了器件在严苛环境下的稳定运行。表面贴装型封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了热性能。

凭借其低压驱动、低导通电阻和高电流能力的组合，该器件是负载开关、电源路径管理、电池反接保护以及DC-DC转换器中同步整流的理想选择。它广泛应用于便携式设备、计算主板、网络设备及各类消费电子产品的电源子系统，是实现高效能、小型化设计的可靠功率开关解决方案。

• 型号:DMP1009UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1860 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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