DMP1011UCB9-7

DMP1011UCB9-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进U-WLB1515-9封装（1.5mm x 1.5mm x 0.5mm）的P沟道增强型功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在紧凑的物理尺寸内提供卓越的功率转换效率与开关性能。其超薄的封装外形使其成为对空间有严格限制的现代便携式及可穿戴电子设备的理想选择。

该MOSFET的关键电气特性使其在低压应用中表现突出。其最大漏源电压（Vdss）为8V，在25°C环境温度下可支持高达10A的连续漏极电流。更值得关注的是其优异的导通特性，在驱动电压（Vgs）为4.5V、漏极电流（Id）为2A的条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为10毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.1V，配合在4.5V Vgs下最大仅为10.5nC的低栅极电荷（Qg），确保了器件能够被微控制器或低电压逻辑电路快速、高效地驱动，显著降低了开关损耗和驱动电路的复杂性。

在接口与参数方面，该器件设计稳健，其栅源最大额定电压（Vgs）为-6V，提供了足够的保护裕量。输入电容（Ciss）在4V Vds下最大为1060pF，结合低Qg特性，共同优化了开关速度。其最大功耗为890mW（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及其完整的技术支持。

基于其高性能与微型化封装，DMP1011UCB9-7非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场景。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式医疗设备中的负载开关、电源路径管理和电池保护电路；在低压DC-DC同步整流转换器中作为上管或下管使用；也可用于USB供电（PD）端口、智能手表及其他可穿戴设备的功率分配与管理模块。其出色的电气性能与超小封装相结合，为工程师解决高密度板级设计中的热管理和空间挑战提供了优秀的解决方案。

• 型号:DMP1011UCB9-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1515-9
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:8 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:890mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1515-9
• 封装/外壳:9-UFBGA，WLBGA
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