DMP1022UFDE-7

DMP1022UFDE-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（E类）封装，专为表面贴装应用而设计，其核心架构旨在实现低导通电阻（Rds(On)）与高电流处理能力的平衡。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值高达9.1A，而漏源电压（Vdss）为12V，使其非常适合低压、大电流的开关与负载管理应用。

该MOSFET的关键性能体现在其优异的开关特性上。在驱动电压（Vgs）为4.5V、漏极电流（Id）为8.2A的条件下，其导通电阻最大值仅为16毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值在250A漏极电流下为800mV，而栅极电荷（Qg）在5V Vgs下最大值仅为42.6nC，这些参数共同确保了器件具备快速开关能力和较低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路的设计。其输入电容（Ciss）在4V Vds下最大值为2953pF，是评估开关速度的重要参考。

在接口与参数方面，DMP1022UFDE-7的栅源电压（Vgs）最大额定值为±8V，提供了安全的驱动电压范围。其最大功耗为660mW（Ta），工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户，通过DIODES一级代理进行采购是保障正品与供货可靠性的重要途径。

基于其12V的耐压、9.1A的电流能力以及出色的低导通电阻特性，这款MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场景。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式设备中的电源开关、负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器中的同步整流或负载点（POL）转换。其小型化的6UDFN封装尤其契合现代电子产品向轻薄短小发展的趋势，是工程师在紧凑型低压大电流设计方案中的高效选择。

• 型号:DMP1022UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 8.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2953 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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