DMP1022UFDF-13

DMP1022UFDF-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，专为表面贴装应用而设计，其核心架构旨在实现低导通损耗与高效率的功率开关控制。其P沟道特性简化了高边开关的驱动电路设计，在需要将负载连接到电源正极的应用中尤为便利。

该器件的关键性能体现在其优异的导通电阻与栅极电荷特性上。在驱动电压为4.5V、漏极电流为4A的条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为14.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为48.3nC @ 4.5V，结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大值800mV @ 250A），意味着它能够实现快速开关，降低开关损耗，并允许使用更小、更经济的驱动电路。其漏源电压（Vdss）额定值为12V，连续漏极电流（Id）在环境温度下可达9.5A，确保了在紧凑空间内处理可观功率的能力。

在接口与参数方面，DMP1022UFDF-13提供了稳健的操作窗口。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±8V，为驱动电平提供了充足的裕量。输入电容（Ciss）在10V条件下最大值为2712pF，与低栅极电荷共同优化了开关动态性能。器件在25°C环境温度下的最大功率耗散为730mW，其结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场景。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式设备中的电源管理模块，如负载开关、电池充电/放电保护电路以及DC-DC转换器中的高边开关。此外，它也适用于USB电源分配、电机驱动预驱动以及任何需要高效、紧凑型P沟道开关解决方案的消费电子和工业控制领域。

• 型号:DMP1022UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.8 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2712 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:730mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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