DMP1022UFDF-7

DMP1022UFDF-7是一款由Diodes Incorporated推出的高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，专为表面贴装应用设计，在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作，确保了其在严苛环境下的可靠性。

其核心架构基于优化的P通道设计，实现了在低驱动电压下的高效开关控制。漏源电压（Vdss）为12V，在25°C环境温度下可支持高达9.5A的连续漏极电流，为负载开关和功率路径管理提供了充足的电流处理能力。器件的关键优势在于其极低的导通损耗，在驱动电压（Vgs）为4.5V、漏极电流（Id）为4A的条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为15.3毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。

在功能特性上，该MOSFET具备出色的栅极驱动性能。栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为800mV（在250A条件下测得），使其能够与低电压逻辑电平（如1.8V或3.3V）直接兼容，简化了驱动电路设计。同时，其栅极电荷（Qg）在8V Vgs下最大值仅为48.3nC，结合10V Vds下最大2712pF的输入电容（Ciss），共同确保了快速的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±8V，提供了安全的操作裕量。

从接口与参数角度看，其封装尺寸极小，非常适合空间受限的便携式和可穿戴设备。最大功率耗散为730mW（Ta），平衡了功率处理能力与封装热性能。对于需要可靠供应链和本地技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。该MOSFET的典型应用场景包括智能手机、平板电脑、便携式医疗设备中的负载开关、电池反接保护、电源分配切换以及DC-DC转换器中的同步整流等，是追求高效率、小尺寸和低导通电阻设计的工程师的理想选择。

• 型号:DMP1022UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15.3 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48.3 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2712 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:730mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 现在可以订购DMP1022UFDF-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。