DMP1046UFDB-7

DMP1046UFDB-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进工艺集成的双P沟道功率MOSFET阵列。该器件采用紧凑的6-UDFN封装，内部集成了两个性能一致的P沟道MOSFET，其设计旨在为空间受限的现代电子设备提供高效的电源管理和负载开关解决方案。其核心架构优化了单元密度与导通特性，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能，特别适合高密度PCB布局。

该芯片的显著特性在于其极低的导通电阻，在Vgs=4.5V、Id=3.6A的条件下，Rds(on)最大值仅为61毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其1V的最大栅极阈值电压(Vgs(th))确保了与低电压逻辑电平（如1.8V或3.3V）的出色兼容性，便于由微控制器或数字信号处理器直接驱动，简化了外围电路设计。此外，17.9nC的低栅极电荷(Qg)和915pF的输入电容(Ciss)共同实现了快速的开关速度，有助于降低开关损耗并提升高频应用的性能。

在电气参数方面，DIODES代理商提供的技术资料显示，DMP1046UFDB-7的连续漏极电流额定值为3.8A，漏源击穿电压为12V，最大功耗为1.4W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。表面贴装的6-UDFN封装不仅提供了优异的热性能，其超薄外形也符合当前消费电子和便携设备对轻薄化的要求。

基于上述技术特点，DMP1046UFDB-7非常适用于需要高效电源路径管理的场景。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等设备中的电池保护、负载开关和电源分配。它也常用于低压DC-DC转换器的同步整流侧、电机驱动中的H桥电路，以及任何需要紧凑、高效的双P-MOSFET解决方案的场合，为设计工程师提供了高集成度和高可靠性的选择。

• 型号:DMP1046UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:61 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.9nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:915pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
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