DMP1080UCB4-7

DMP1080UCB4-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进U-WLB1010-4封装（1.0mm x 1.0mm）的P沟道增强型功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心架构针对低电压、高密度应用进行了优化。紧凑的晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）不仅最大限度地减少了占板面积，还通过缩短内部互连路径有效降低了寄生电感和电阻，为高频开关和高效功率管理奠定了物理基础。

该MOSFET在12V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够提供高达3.3A的连续漏极电流（Id）。其关键性能优势体现在极低的导通电阻上，在4.5V栅源驱动电压（Vgs）和500mA漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为80毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，器件拥有优异的栅极电荷特性，在4.5V Vgs下Qg最大值仅为5nC，结合最大350pF的输入电容（Ciss @ 6V），确保了快速的开关速度和极低的驱动损耗，特别适合高频PWM控制应用。

在电气参数方面，DMP1080UCB4-7的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，且驱动电压范围宽（最大RdsOn对应最小Vgs为1.5V），使其能够与多种低电压逻辑电平（如1.8V, 3.3V, 5V）的微控制器或电源管理IC直接兼容，简化了驱动电路设计。其最大栅源电压（Vgs）为-6V，提供了可靠的栅极保护裕量。器件的功率耗散能力为820mW（Ta），并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，保证了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取正品器件和技术支持。

凭借其小尺寸、低导通电阻和快速开关特性，DMP1080UCB4-7非常适合空间受限的便携式电子设备和物联网模块。其主要应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关、电源路径管理、电池反接保护，以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。在计算设备、消费电子和工业控制模块中，它也是实现高效功率分配和系统电源管理的理想选择。

• 型号:DMP1080UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:820mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
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