DMP1081UCB4-7

DMP1081UCB4-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进U-WLB1010-4封装（尺寸仅为1.0mm x 1.0mm）的P沟道增强型功率MOSFET。其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元设计和制程工艺，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能与热性能平衡。该器件专为低电压、高密度应用设计，其紧凑的物理尺寸与低导通电阻特性，使其成为空间受限的便携式与可穿戴设备的理想选择。

该MOSFET具备12V的漏源击穿电压(Vdss)和在25°C环境温度下高达3A的连续漏极电流(Id)能力。其关键优势在于极低的栅极驱动需求，在Vgs为-0.9V时即可提供较低的导通电阻，而最大栅源电压(Vgs)为-6V，确保了与多种低压逻辑电平（如1.8V， 3.3V）控制电路的直接、高效兼容，简化了驱动电路设计。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为5nC @ 4.5V，输入电容(Ciss)最大值为350pF @ 6V，这些低电荷特性显著降低了开关过程中的损耗，提升了整体系统的能效与开关频率上限。

在电气参数方面，DMP1081UCB4-7在Vgs为-0.9V、Id为100mA条件下的导通电阻(Rds(on))典型值低至10mΩ，这直接转化为更低的传导损耗和更少的发热量。其阈值电压(Vgs(th))最大值为650mV @ 250A，提供了明确的开启特性。器件支持表面贴装（SMT）工艺，并拥有宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），以及高达820mW（Ta）的功率耗散能力，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品。

基于其综合性能，DMP1081UCB4-7非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的领域。其主要应用场景包括智能手机、平板电脑、便携式医疗设备中的负载开关、电源路径管理以及电池保护电路。此外，在物联网（IoT）传感器节点、可穿戴设备的功率分配模块，以及作为低压DC-DC转换器中的同步整流或开关元件时，其小尺寸和低功耗特性也能发挥关键作用。

• 型号:DMP1081UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0.9V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10欧姆 @ 100mA，0.9V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:650mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:820mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
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