DMP1096UCB4-7

DMP1096UCB4-7是一款由Diodes Incorporated推出的先进P沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的U-WLB1010-4封装。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在12V的低压系统中提供高效率的功率开关解决方案。其P沟道架构简化了栅极驱动设计，特别适用于负载开关、电源路径管理和电池反接保护等应用，其中栅极电压可以方便地以地或正电源为参考进行控制。

该MOSFET的关键性能参数体现了其在空间受限应用中的优势。其最大导通电阻（R_DS(on)）在V_GS = -4.5V、I_D = -500mA条件下仅为102毫欧，确保了在2.6A连续漏极电流下的导通损耗最小化。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值低至3.7nC（@ V_GS = -4.5V），结合251pF的输入电容（C_iss），显著降低了开关过程中的驱动损耗，提升了高频开关性能，使得整体系统效率得以优化。其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为-1V，与低至-1.5V的驱动电压要求相结合，使其能够与多种低电压逻辑电平（如1.8V, 3.3V）直接兼容，简化了驱动电路设计。

在接口与可靠性方面，器件支持-5V的最大栅源电压，提供了安全的操作裕量。其采用表面贴装型U-WLB1010-4封装，尺寸仅为1.0mm x 1.0mm，高度约0.5mm，非常适合智能手机、平板电脑、便携式医疗设备、可穿戴电子产品等对PCB空间有严苛要求的场景。该器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并在环境温度（T_a）下支持820mW的功率耗散，确保了在恶劣环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术资料、样品及采购支持。

综合其电气特性与物理封装，DMP1096UCB4-7的核心价值在于为设计工程师提供了一个在性能、尺寸和易用性之间取得卓越平衡的解决方案。它主要应用于需要高效电源管理的领域，例如作为系统主电源或子系统（如摄像头模块、传感器、外设接口）的负载开关，实现快速开启/关断以节省待机功耗；在电池供电设备中用于实现理想的电源路径选择和电池保护功能；此外，在电机驱动、LED背光控制等需要P沟道MOSFET进行高端驱动的电路中也能发挥关键作用。

• 型号:DMP1096UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:102 毫欧 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:251 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:820mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
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