DMP10H4D2S-13

DMP10H4D2S-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）架构，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关速度的平衡。其P沟道特性使其在电路设计中，特别是在需要以简单栅极驱动逻辑直接控制电源通断的场合，提供了显著的便利性，无需额外的电荷泵或电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，确保了在多种中压应用中的可靠性与安全性。在栅源电压（Vgs）为10V的条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为1.8nC，结合约87pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动所需的能量极小，能够实现快速的开通与关断，有效降低开关损耗，提升高频开关性能。其栅源电压耐受范围达±20V，提供了宽裕的驱动安全余量。

在接口与参数方面，DMP10H4D2S-13采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，体积小巧，非常适合高密度PCB布局。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定为270mA，最大功耗为380mW，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和正品保障的客户，可以通过官方DIODES授权代理进行采购与技术咨询。这些参数共同定义了一款适用于空间受限、对效率与速度有要求的紧凑型设计。

得益于其高耐压、低栅极电荷和紧凑封装，DMP10H4D2S-13非常适合一系列应用场景。它常被用于负载开关、电源管理模块中，作为电源路径的控制开关。在电池供电设备、便携式电子产品中，可用于实现系统的低功耗待机或模块的电源隔离。此外，在电机驱动辅助电路、通信模块的功率接口以及各类需要P沟道MOSFET进行电平转换或信号隔离的工业与消费电子电路中，它都能提供可靠且高效的解决方案。

• 型号:DMP10H4D2S-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:87 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:380mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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