DMP1245UFCL-7

DMP1245UFCL-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的X1-DFN1616-6（E类）封装，专为在有限空间内实现高效功率切换而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的制造工艺确保了在低栅极驱动电压下依然能提供出色的电流处理能力和较低的功率损耗。

该MOSFET的显著特性在于其优异的低导通电阻表现。在Vgs为4.5V、Id为4A的条件下，其Rds(on)最大值仅为29毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其低栅极电荷（Qg）最大值仅为26.1nC @ 8V，配合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大值950mV @ 250A），使得器件能够实现快速、高效的开关动作，特别适合高频开关应用，有助于减小驱动电路的负担和开关损耗。

在电气参数方面，Diodes代理商提供的技术资料显示，DMP1245UFCL-7的连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达6.6A，漏源击穿电压（Vdss）为12V，能够满足多种低压、大电流场景的需求。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±8V，提供了安全的驱动电压范围。器件的输入电容（Ciss）在Vds为10V时最大值为1357.4pF，功率耗散最大值（Ta）为613mW，这些参数共同定义了其在开关电源和功率管理电路中的动态性能边界。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了在苛刻环境下的可靠运行。

基于其紧凑的封装、低导通电阻和快速开关特性，DMP1245UFCL-7非常适合应用于空间受限且对效率要求高的领域。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式设备中的负载开关、电源路径管理和电池保护电路。此外，它也常被用于低压DC-DC转换器的同步整流侧、电机驱动中的预驱动级，以及各类需要高效功率分配的分布式电源系统中，是实现高功率密度设计的理想选择。

• 型号:DMP1245UFCL-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1616-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.1 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1357.4 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:613mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1616-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUFDFN
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