DMP1555UFA-7B

Diodes Incorporated推出的DMP1555UFA-7B是一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和快速的开关特性。其P沟道配置简化了在许多低压应用中的栅极驱动电路设计，特别是在由单电源供电的系统中，无需额外的电荷泵或电平转换电路，即可实现高效的高侧开关控制。

在电气特性方面，该芯片展现了出色的性能。其最大漏源电压(Vdss)为12V，连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下可达200mA，适用于多种低压、小电流的功率管理场景。其导通电阻(Rds(on))在Vgs为4.5V、Id为200mA的条件下典型值仅为800毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，驱动电压范围宽至1.5V至4.5V，使其能够与常见的3.3V或5V逻辑电平完美兼容，实现便捷的微控制器直接驱动。

该器件的动态参数同样经过优化。栅极电荷(Qg)在Vgs=4.5V时最大值仅为0.84nC，输入电容(Ciss)在Vds=10V时最大值为55.4pF。这些极低的电荷参数确保了极快的开关速度和极低的开关损耗，特别适合高频开关应用，有助于提升整体电源系统的功率密度和响应速度。其栅源电压(Vgs)可承受±8V的最大值，提供了良好的栅极可靠性。芯片采用紧凑的X2-DFN0806-3表面贴装封装，占板面积极小，非常适合空间受限的便携式电子设备。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并能在环境温度下耗散高达360mW的功率，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借其紧凑的尺寸、优异的电气性能以及与低压逻辑的兼容性，DMP1555UFA-7B是众多现代电子设备的理想选择。其典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式产品中的电源负载开关、电池反接保护、电源路径管理和信号切换。此外，在物联网(IoT)传感器节点、USB供电设备以及需要高效功率分配的任何低压直流系统中，它都能发挥关键作用，是实现小型化、高能效设计的可靠基石。

• 型号:DMP1555UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.84 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:55.4 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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