DMP2006UFG-13

DMP2006UFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高功率密度和高效散热而设计，其架构优化了载流子迁移路径，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关应用中实现了更低的传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能。其最大漏源电压(Vdss)为20V，能够满足多种低压系统的需求。在导通特性方面，在4.5V驱动电压(Vgs)和15A漏极电流(Id)条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至5.5毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，且栅极电荷(Qg)最大值仅为200nC，这使得它能够被微控制器或低电压逻辑电路轻松、快速地驱动，减少了驱动电路的复杂性和开关延迟。

在接口与参数层面，DMP2006UFG-13提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和强大的电流承载能力，在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)为17.5A，在壳温条件下可达40A。其表面贴装的PowerDI3333封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还通过裸露的散热焊盘提供了优异的热性能，有助于将最大功率耗散控制在2.3W（Ta）。对于需要可靠供应链和稳定供货的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正品和质量的重要途径。

凭借其低导通电阻、快速开关能力和紧凑的封装，这款MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率要求苛刻的场合。其主要应用场景包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理模块，如负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器的同步整流或高端开关。此外，它也常见于低压电机驱动、便携式设备的功率分配以及各类消费电子产品的功率控制单元中，是实现高效能、小型化设计的理想功率开关解决方案。

• 型号:DMP2006UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:200 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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