DMP2008UFG-13

DMP2008UFG-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该器件在25°C环境温度下可提供高达14A的连续漏极电流，而在管壳温度条件下，这一数值可显著提升至54A，展现了其强大的电流处理能力与散热设计潜力。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的能效表现。在4.5V驱动电压、12A电流条件下，其导通电阻典型值低至8毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极阈值电压最大值仅为1V，配合最大72nC的栅极电荷，意味着它能够在较低的栅极驱动电压下快速、高效地开启和关断，非常适合由低电压逻辑电路直接驱动的应用场景，有助于简化驱动电路设计并降低系统成本。其栅源电压可承受±8V，提供了足够的噪声容限。

在电气参数方面，DMP2008UFG-13的漏源击穿电压为20V，适用于常见的12V及以下总线电压系统。其功率耗散能力在环境温度下为2.4W，在管壳温度下可达41W，结合PowerDI3333封装优良的热性能，确保了器件在持续高负载工作下的可靠性。宽广的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业与汽车环境。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理获取此型号及完整的技术支持。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和坚固的封装，这款MOSFET非常适合于空间受限且对效率要求高的功率管理应用。典型应用场景包括笔记本电脑、平板电脑和便携式设备中的负载开关、电池保护电路以及电源路径管理。此外，它也广泛应用于低压DC-DC转换器的同步整流侧、电机驱动控制电路以及各类消费电子和工业设备中的功率分配与开关单元，是实现高效、紧凑型电源解决方案的关键元件。

• 型号:DMP2008UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 12A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6909 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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