DMP2008UFG-7

DMP2008UFG-7是一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与优异的开关性能。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑的表面贴装型封装，在提供出色散热能力的同时，显著节省了PCB板空间，尤其适合高密度设计。其内部结构经过优化，有效降低了寄生电容和栅极电荷，为高效率的功率开关应用奠定了物理基础。

该MOSFET的功能特点突出体现在其卓越的电气性能上。在4.5V的驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至8毫欧（@12A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，结合±8V的最大栅源电压，确保了与多种逻辑电平控制器（包括3.3V和5V系统）的兼容性，并提供了稳健的驱动安全裕量。其栅极总电荷（Qg）最大值仅为72nC（@4.5V），这一关键参数显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得器件在高速开关应用中能够保持较低的温度和更高的频率运行能力。

在接口与参数方面，DMP2008UFG-7具备20V的漏源击穿电压（Vdss），可承受的连续漏极电流在环境温度（Ta）下为14A，在管壳温度（Tc）下高达54A，展现了强大的电流处理能力。其最大功耗在Tc条件下可达41W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠性与长寿命。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于上述特性，DMP2008UFG-7非常适用于对效率和空间有严格要求的应用场景。它常被用于负载开关、电源管理模块中的功率路径控制，以及电池供电设备（如笔记本电脑、平板电脑和便携式工具）中的放电保护电路。此外，在DC-DC转换器的同步整流侧、电机驱动中的预驱动级，以及各类需要高效、紧凑型P沟道解决方案的消费电子和工业设备中，它都能发挥关键作用。

• 型号:DMP2008UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 12A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6909 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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