DMP2010UFG-13

DMP2010UFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑的表面贴装型封装，在提供优异热性能的同时，显著节省了PCB空间。其核心设计旨在实现极低的导通损耗和高效的开关性能，通过优化单元结构和沟道电阻，在给定的芯片面积内实现了电流处理能力与导通电阻（R_DS(on)）之间的出色平衡。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在V_GS为4.5V、I_D为3.6A的条件下，R_DS(on)最大值仅为9.5毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少发热。同时，其低栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为1.2V，以及优化的栅极电荷（Q_g）最大值103nC，使其能够与低电压逻辑电平（如2.5V或3.3V）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了驱动电路设计，并有效降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。

在电气接口与参数方面，DMP2010UFG-13的漏源击穿电压（V_DSS）为20V，连续漏极电流（I_D）在环境温度（T_A）下为12.7A，在壳温（T_C）下可达42A，展现了强大的电流承载能力。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±10V，提供了可靠的栅极保护。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取此型号，确保产品正品与供货稳定。

基于其高性能与紧凑封装，DMP2010UFG-13非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场景。典型应用包括负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率路径控制、电池供电设备的放电保护开关、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及各类便携式设备、计算主板和消费电子产品中的电源分配系统。其设计充分满足了现代电子设备对高功率密度和高能效的持续追求。

• 型号:DMP2010UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.7A（Ta），42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:103 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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