DMP2010UFG-7

DMP2010UFG-7是一款由Diodes Incorporated设计制造的高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用表面贴装型PowerDI3333-8封装，专为高密度、高效率的电源管理和负载开关应用而优化，其紧凑的封装尺寸与优异的电气性能相结合，满足了现代电子设备对空间和能效的严苛要求。

该MOSFET的核心架构旨在实现极低的导通损耗和快速的开关特性。其P沟道设计简化了栅极驱动电路，特别是在高边开关应用中，无需额外的电荷泵或电平移位电路，仅需一个相对于源极的负电压即可完全导通。器件在4.5V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值极低，在3.6A电流下最大值仅为9.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在103nC @ 10V，有助于降低开关损耗，提升高频开关性能。

在电气参数方面，DMP2010UFG-7具有20V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在常见低压总线（如5V、12V）应用中的可靠性与余量。其连续漏极电流能力在环境温度（Ta）25°C下为12.7A，在壳温（Tc）下可达42A，展现出强大的电流处理能力。栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，结合±10V的最大栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。器件的功率耗散能力为900mW（Ta），并支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，保证了其在恶劣环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链保障的设计项目，可以通过DIODES授权代理获取正品器件和技术支持。

基于其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，DMP2010UFG-7非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场景。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑、服务器等设备中的DC-DC转换器同步整流、负载点（POL）转换器以及高边负载开关。它也常用于电池供电设备的电源路径管理、电机驱动控制中的预驱动级，以及任何需要高效、紧凑型P沟道解决方案的电源切换电路中。

• 型号:DMP2010UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.7A（Ta），42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:103 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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