DMP2010UFV-7

DMP2010UFV-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术构建，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。其设计重点在于优化功率密度与热管理，采用紧凑的PowerDI3333-8封装，为高电流应用提供了优异的电气特性与物理可靠性。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源电压（Vdss）为20V，并能在25°C壳温下支持高达50A的连续漏极电流，使其能够处理可观的功率负载。其导通电阻（Rds(On)）表现卓越，在Vgs为4.5V、Id为3.6A的条件下，最大值仅为9.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，且驱动电压范围宽（最大RdsOn对应2.5V，最小对应4.5V），与低电压逻辑电平兼容性好，便于驱动电路设计。此外，其最大栅极电荷（Qg）为103nC @ 10V，结合3350pF @ 10V的输入电容，有助于实现快速的开关转换，减少开关损耗。

在接口与参数方面，该器件提供了稳健的工作范围。栅源电压（Vgs）最大额定值为±10V，为栅极驱动提供了安全裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。表面贴装型的PowerDI3333封装优化了PCB布局空间和散热路径，最大功率耗散为2W（Ta），对于寻求可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取正品货源和技术支持。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，DMP2010UFV-7非常适合于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括服务器、通信设备的负载开关与电源管理、笔记本电脑和便携式设备的电池保护与功率分配，以及电机驱动、DC-DC转换器中的同步整流或高侧开关。其稳健的设计使其成为需要高可靠性P沟道MOSFET解决方案的工程师的理想选择。

• 型号:DMP2010UFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:103 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购DMP2010UFV-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。