DMP2033UVT-13

DMP2033UVT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率开关器件。该器件基于成熟的平面工艺架构，在紧凑的TSOT-26封装内集成了高性能的功率MOSFET单元，其设计重点在于优化导通电阻与栅极电荷的平衡，以实现高效率的功率切换。其沟道结构经过特别优化，能够在较低的栅极驱动电压下实现深度导通，这对于由低电压逻辑电路直接驱动的应用至关重要，有助于简化系统设计并减少外围元件。

该器件的核心特性体现在其优异的电气参数上。它具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和在25°C环境温度下高达4.2A的连续漏极电流(Id)能力，为负载开关和电源路径管理提供了充足的余量。其导通电阻(Rds(On))在4.5V栅源电压(Vgs)和4.2A漏极电流条件下，最大值仅为65毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为900mV，而推荐的驱动电压范围在1.8V至4.5V之间，确保了与3.3V及1.8V等现代低压微控制器和逻辑电路的完美兼容，实现无缝接口。

在动态性能方面，DIODES一级代理提供的技术资料显示，DMP2033UVT-13在4.5V Vgs下的最大栅极总电荷(Qg)仅为10.4nC，结合845pF的输入电容(Ciss)，意味着其所需的驱动能量很低，能够实现快速的开关切换，减少开关过渡期间的损耗，尤其适用于高频开关应用。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装型TSOT-26封装，不仅提供了良好的热性能和可靠性，也满足了现代便携式电子产品对PCB空间日益严苛的要求。

凭借这些综合特性，DMP2033UVT-13非常适合于空间受限且对效率有高要求的应用场景。它常用作智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携电子产品中的负载开关，用于电源域的管理与隔离。在DC-DC转换器的同步整流侧、电池反接保护电路以及低压电机驱动控制中，它也能发挥关键作用。其小尺寸、低导通电阻和良好的低压驱动特性，使其成为设计师在构建高效、紧凑型电源管理系统时的理想选择。

• 型号:DMP2033UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 4.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:845 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 现在可以订购DMP2033UVT-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。