DMP2035UFDF-7

DMP2035UFDF-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，其核心优势在于在极低的栅极驱动电压下实现了非常低的导通电阻。其栅源阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，在250A漏极电流下最大值仅为1V，结合其优化的栅极电荷（Qg）特性，使得该MOSFET能够被标准的逻辑电平信号（如1.8V、3.3V、5V）高效驱动，显著简化了驱动电路设计并降低了系统功耗。

在电气性能方面，该器件额定漏源电压（Vdss）为20V，在25°C环境温度下可支持高达8.1A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）在Vgs为4.5V、Id为6.4A的条件下，最大值仅为29毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅源电压（Vgs）为±8V，提供了足够的电压裕度以确保可靠工作。该MOSFET的输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，适用于需要高频操作的场景。

该芯片采用表面贴装型封装，热性能优异，其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为2.03W（Ta），确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。其紧凑的6引脚UDFN封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了散热路径，非常适合高密度板卡设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

基于其出色的电气和物理特性，DMP2035UFDF-7非常适合应用于空间受限且对效率要求高的领域。典型应用包括作为负载开关或电源路径管理器件，用于智能手机、平板电脑、便携式设备中的电池保护与电源分配；在DC-DC同步整流转换器中作为上管或下管使用；以及用于USB电源开关、电机驱动控制电路和各类低压大电流的开关电路中，是实现高效能、小型化电源管理解决方案的理想选择。

• 型号:DMP2035UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 6.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1808 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.03W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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