DMP2035UVT-13

作为一款面向汽车电子应用的功率开关器件，DMP2035UVT-13采用了先进的P沟道MOSFET架构。其设计基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，在紧凑的TSOT-26封装内实现了优异的电气性能。该器件通过了严格的AEC-Q101认证，确保了其在汽车级应用环境下的高可靠性与稳定性，能够承受-55°C至150°C的宽结温范围，满足严苛的工况要求。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻与高效的开关特性。在4.5V的驱动电压下，其导通电阻最大值仅为35毫欧（测试条件为4A电流），这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压最大值为1.5V，而推荐的驱动电压范围在1.8V至4.5V之间，这使得它能够很好地兼容现代低电压逻辑电路，简化了驱动设计。最大栅极电荷（Qg）仅为23.1nC，结合2400pF的输入电容，意味着其具有快速的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗，提升高频应用的性能。

在电气参数方面，DMP2035UVT-13的额定漏源电压为20V，在环境温度25°C下连续漏极电流可达7.2A，最大功耗为2W。其栅源电压可承受±12V，提供了良好的抗电压尖峰能力。这些参数共同定义了一个高电流密度、低损耗的功率开关解决方案。其表面贴装的TSOT-26封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了散热路径，适合高密度布局的现代电子设备。

凭借其可靠性和高性能，该器件非常适合用于需要高效电源管理和负载开关的汽车电子模块，如车身控制模块、LED照明驱动、电机预驱动器等。它也适用于各类便携式设备、电池供电系统中的负载开关和电源路径管理。对于需要采购此型号的工程师，可以通过正规的DIODES代理商获取详细的技术支持与供应链服务。需要注意的是，此部件目前处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品或与供应商确认库存情况。

• 型号:DMP2035UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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