DMP2039UFDE4-7

DMP2039UFDE4-7是一款由Diodes Incorporated设计制造的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的6-DFN2020（2x2）表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其核心设计旨在满足现代便携式及空间受限电子设备对高效率、高密度功率管理的严苛要求，通过优化的芯片工艺和封装技术，在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作。

该MOSFET的关键特性在于其卓越的导通性能与低驱动电压需求。在4.5V的栅源驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至26毫欧（在6.4A电流条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，它支持低至1.8V的逻辑电平驱动，使其能够无缝对接现代微控制器和低压数字电源管理IC，简化了驱动电路设计。其最大连续漏极电流（Id）在环境温度下可达7.3A，结合25V的漏源击穿电压（Vdss），为负载开关、电源路径管理和电池保护等应用提供了充足的电流与电压余量。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为28.2nC @ 4.5V，有助于降低开关损耗，提升高频开关应用的性能。

在接口与参数方面，DMP2039UFDE4-7的栅极-源极电压（Vgs）最大额定值为±8V，确保了在常见驱动电平下的应用安全。其输入电容（Ciss）在15V漏源电压下最大为2530pF，与较低的Qg共同决定了其快速的开关响应特性。器件的最大功率耗散为690mW（Ta），紧凑的DFN封装提供了有效的散热路径。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

基于上述特性，DMP2039UFDE4-7非常适用于对空间和效率有高要求的应用场景。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关和电源隔离，用于实现不同功能模块的供电管理。它也常用于低压DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及USB供电（USB PD）端口、电池充电/放电保护电路。其小尺寸和高电流能力使其成为空间紧凑的电机驱动、LED照明控制等应用的理想选择，为设计工程师提供了高性能、高可靠性的功率开关解决方案。

• 型号:DMP2039UFDE4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN2020-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 6.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2530 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:690mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN2020-6
• 封装/外壳:6-PowerXDFN
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