DMP2047UCB4-7

作为一款采用先进U-WLB1010-4封装技术的P沟道功率MOSFET，DMP2047UCB4-7体现了现代功率半导体器件在高密度集成与高效能方面的设计追求。其核心架构基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，通过优化沟道与栅极结构，在极小的物理尺寸内实现了优异的电气性能。该器件专为在低电压、大电流的开关应用中实现最小化的导通损耗而设计，其P沟道特性使其在负载开关、电源路径管理等需要高侧驱动的电路中尤为适用，无需复杂的电荷泵或电平转换电路，从而简化了系统设计。

该芯片的功能特点突出表现在其卓越的导通电阻与栅极电荷性能上。在4.5V的驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至47毫欧，这一特性确保了在高达4.1A的连续漏极电流下，器件本身的功率损耗被控制在极低水平，显著提升了系统的整体能效。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为2.3nC，意味着驱动该MOSFET所需的能量极低，这不仅降低了对驱动电路的要求，也使得开关速度更快，开关损耗更小，特别适合高频开关应用。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，确保了与低电压逻辑电平（如1.8V, 3.3V）的微控制器或电源管理IC（PMIC）能够直接、可靠地兼容。

在接口与关键参数方面，DMP2047UCB4-7提供了20V的漏源击穿电压（Vdss），为常见的5V、12V总线应用提供了充足的安全裕量。其紧凑的U-WLB1010-4（超薄晶圆级芯片尺寸封装）尺寸仅为1.0mm x 1.0mm，高度不足0.4mm，是空间受限的便携式和可穿戴设备的理想选择。该器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取完整的技术资料、样品及批量采购支持。

基于上述特性，DMP2047UCB4-7广泛应用于多种现代电子设备中。其典型应用场景包括智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等便携设备中的电池保护与负载开关，用于实现不同功能模块的供电通断控制。在物联网（IoT）传感器节点和可穿戴设备中，它可用于高效的电源管理，延长电池续航时间。此外，在低压DC-DC转换器的同步整流侧、电机驱动中的预驱动电路，以及USB供电（USB Power Delivery）端口的开关控制中，该器件也能发挥其低损耗、小尺寸的优势，助力设计工程师实现更紧凑、更高效的系统解决方案。

• 型号:DMP2047UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:47 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:218 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
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