DMP2067LVT-7

DMP2067LVT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，集成了高性能的功率开关与控制功能，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和快速的开关响应。通过优化的单元设计和工艺控制，该MOSFET在提供高达4.2A连续漏极电流的同时，保持了出色的热稳定性和电气可靠性，为空间受限的高密度设计提供了理想的功率管理解决方案。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在4.5V驱动电压和4.5A电流条件下，Rds(ON)最大值仅为45毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其低阈值电压（Vgs(th)最大值为1.5V）和优化的栅极电荷（Qg最大值28nC @ 8V）使其能够与低电压逻辑电平（如2.5V或3.3V）的微控制器或电源管理IC直接兼容，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了BOM成本。其最大栅源电压（Vgs）为±8V，提供了足够的驱动裕量。

在接口与关键参数方面，DMP2067LVT-7的漏源击穿电压（Vdss）为20V，适用于常见的12V或更低电压的电源总线。其最大功耗为1.2W（Ta），结合TSOT-26封装良好的热性能，能够有效管理功率耗散。输入电容（Ciss）最大值为1575pF @ 10V，与低栅极电荷相结合，确保了快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提升高频应用的性能。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

凭借其高性能和小尺寸，该MOSFET非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。其主要应用领域包括便携式设备的负载开关、电源路径管理、电池保护电路，以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。在笔记本电脑、平板电脑、智能手机、无人机和各类物联网设备的电源管理单元中，它都能作为高效的功率开关元件，有效提升系统的整体能效和可靠性。

• 型号:DMP2067LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1575 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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