DMP2069UFY4-7

作为一款采用先进MOSFET技术制造的P沟道功率器件，DMP2069UFY4-7在紧凑的封装内实现了优异的电气性能。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化的沟道设计和制造工艺，确保了在低驱动电压下依然能获得极低的导通电阻。该器件采用DFN2015H4-3封装，这是一种微型化的表面贴装封装，其紧凑的尺寸和低剖面高度使其成为空间受限的便携式和高密度应用的理想选择。

该MOSFET的关键特性在于其卓越的能效表现。在4.5V的栅源电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为54毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和发热量，从而提升了系统的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为9.1nC，较低的栅极电荷意味着开关速度更快，开关损耗更低，这对于高频开关应用至关重要。其驱动电压范围兼容低至1.8V的逻辑电平，使其能够直接由现代微控制器或低压ASIC驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。

在电气参数方面，DMP2069UFY4-7具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流能力，为负载开关和电源路径管理提供了充足的余量。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，确保了在低压驱动下的可靠开启。器件支持高达±8V的栅源电压，提供了良好的抗干扰能力。其宽泛的工作结温范围从-55°C到150°C，保证了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。如需获取官方技术支持和正品货源，建议通过DIODES授权代理进行采购。

凭借其小型化、高效率和高可靠性的特点，该器件非常适合集成到多种现代电子系统中。其主要应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式消费电子产品的负载开关、电池保护电路和电源管理单元。此外，在低压DC-DC转换器、电机驱动控制模块以及需要高效功率切换的工业控制与物联网设备中，它也能发挥关键作用，是实现紧凑、高效且可靠的功率管理解决方案的核心元件之一。

• 型号:DMP2069UFY4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DFN2015H4-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:54 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:214 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DFN2015H4-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• 现在可以订购DMP2069UFY4-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。