DMP2075UVT-13

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的高性能P沟道功率MOSFET，DMP2075UVT-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。该器件基于P沟道设计，能够在较低的栅极驱动电压下实现优异的导通性能，这得益于其优化的沟道和单元结构，有效降低了导通电阻和栅极电荷，从而提升了整体能效并减少了开关损耗。

该器件在功能上表现出色，其最大漏源电压(Vdss)为20V，并在25°C环境温度下提供高达3.8A的连续漏极电流(Id)能力。一个关键特性是其极低的导通电阻，在4.5V栅源电压和4A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为75毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1V，且最大栅极电荷(Qg)低至8.8nC，这使得它能够被微控制器或低电压逻辑电路轻松、快速地驱动，显著简化了驱动电路设计并提升了开关速度。

在接口与电气参数方面，DMP2075UVT-13提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），确保了在苛刻环境下的可靠性。其最大栅源电压为±8V，输入电容(Ciss)在10V漏源电压下最大值为642pF。器件采用紧凑的TSOT-26表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局，最大功耗为1.2W（Ta）。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链可靠的重要途径。

凭借其优异的电气性能和紧凑的封装，该MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场景。其主要应用领域包括负载开关、电源管理模块、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及便携式设备、物联网模块和各类消费电子产品中的功率分配单元。其低导通电阻和快速开关特性使其成为提升系统整体能效和功率密度的理想选择。

• 型号:DMP2075UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:642 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 现在可以订购DMP2075UVT-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。