DMP2075UVT-7

作为一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的功率开关器件，DMP2075UVT-7的核心架构基于P沟道设计。这种架构使其在低侧开关应用中，能够通过简单的栅极驱动逻辑实现高效的通断控制，特别适合由低压微控制器直接驱动的场景。其金属氧化物栅极结构确保了高输入阻抗和快速的开关响应，为电源管理和负载开关电路提供了可靠的基础。

该器件在性能上展现出多项突出特点。其最大导通电阻（Rds(On)）在4.5V驱动电压下仅为75毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率，尤其在处理高达3.8A的连续漏极电流时优势明显。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，配合2.5V至4.5V的标准驱动电压范围，使其能够与绝大多数3.3V或5V逻辑电平的现代微处理器无缝兼容，简化了驱动电路设计。

在关键的接口与电气参数方面，DMP2075UVT-7提供了20V的漏源击穿电压（Vdss），为常见的12V或更低电压的电源总线应用留出了充足的安全裕量。其栅极电荷（Qg）最大值仅为8.8nC，输入电容（Ciss）也控制在较低水平，这共同决定了其快速的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗。器件采用紧凑的TSOT-26表面贴装封装，功率耗散能力为1.2W，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与相关服务。

基于其综合性能，DMP2075UVT-7非常适用于空间受限、对效率要求高的便携式电子设备。典型应用场景包括智能手机、平板电脑中的电源路径管理、负载开关、电池充电电路以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其小尺寸、低导通电阻和良好的逻辑电平兼容性，使其成为工程师在设计高密度、高效率电源管理系统时的优选解决方案。

• 型号:DMP2075UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:642 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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